哈希游戏源码出售:东微半导(688261):产品结构和下游结构不断完善 未来持续高成长可期

admin 2个月前 (12-02) 财经 1 0

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  事件:公司发布2022 年第三季度报告,前三季度公司营收7.90 亿元,同比+41.29%;归母净利润2.00 亿元,同比+115.62%;扣非归母净利润1.90 亿元,同比增长114.49%;22Q3 单季度实现营收3.24 亿元,同比+35.85%,环比+24.26%;归母净利润0.83 亿元,同比+103.24%,环比+20.59%;扣非归母净利润0.80 亿元,同比增长95.87%,环比增长25.85%。
  投资要点:
  三季度业绩符合预期,毛利率环比稳步提升。受益于下游需求旺盛,公司22Q3 收入和净利润环比继续保持高速增长;22Q3 毛利率毛利率34.08%,同比增长2.94%,环比增长0.19%,继续稳步提升,主要得益于下游结构和产品结构的持续优化;22Q3 净利率25.71%,同比增长8.53%,环比下滑0.78%,净利率环比小幅下滑是正常范围内的波动。
  产品结构和下游结构不断完善,未来持续高成长可期。公司22H1高压超级结MOSFET 收入占比78.05%,中低压屏蔽栅MOSFET占比18.13%,TGBT 占比3.67%;22Q3 预计超级结MOSFET 占比提升到80%以上,中低压屏蔽栅MOSFET 占比下降到15%左右,TGBT 占比继续提升。公司22H1 汽车及工业应用收入占营收比重超过70%,预计22Q3 汽车和工业占比提升至75%以上,主要来自新能源汽车直流充电桩、各类工业及通信电源、光伏逆变器、储能、车载充电机等景气度较高的领域,未来在电动车和新能源市场旺盛需求下,有望持续高成长。
  国内高压超级结MOSFET 领导者,有望持续提升市场份额。根据Omdia 的数据,2020 年度全球高压超级结 MOSFET 市场规模为9.4 亿美元,公司占全球高压超级结市场的份额为3.8%,占中国高压超级结市场的份额约为8.6%,排在国内厂商中第一位。公司高压超级结MOSFET 产品基于深沟槽工艺技术,采用优化电荷平衡技术、优化栅极设计及独创的缓变电容核心原胞结构,形成了低导通电阻、低栅极电荷、低静态与动态损耗等优势,,

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,处于国内领先、国际先进水平。目前全球高压超级结MOSFET 市场主要被英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体等国外厂商占据,公司有望凭借较强的竞争优势不断提升市场份额。
  公司IGBT 产品竞争优势突出,已进入高速成长期。公司IGBT(TGBT)产品采用创新型三栅架构,在功率密度、器件损耗等性  能指标和成本上具有强大的竞争优势,主要覆盖光伏逆变器、储能、车载充电机、充电桩、UPS 等领域。公司TGBT 业务22H1 收入1700 万,同比增长70 多倍,目前TGBT 订单充足,产品供不应求,已进入快速成长期,预计未来几年将继续放量,成为公司高成长的重要驱动力。
  公司积极布局碳化硅,客户验证进展顺利。公司积极布局SiC 材料的功率器件,并采用新技术路线开发产品,已申请多项相关专利,目前已在积极推广及客户认证阶段,市场拓展顺利。凭借优秀的技术创新能力,有望把握第三代半导体的发展趋势,为公司带来新的收入增长点。
  与华虹长期深度合作,公司产能供给稳步增长。公司与华虹保持长期深度合作的关系,近年来在华虹的产能持续增加,此外与粤芯半导体和DB Hitek 保持稳定合作关系,未来公司希望通过优秀的产品和技术提升产能价值,实现与晶圆厂保持更深度的合作,预计公司未来产能供给稳步增长有足够的保障,以支撑业务的快速增长。
  盈利预测与投资建议。公司拥有优秀的功率器件和工艺创新能力,是国内高压超级结MOSFET 领导者,公司高压超级结MOSFET 和TGBT 产品均具有较强的竞争优势,下游聚焦汽车和工业高景气市场,产品结构和下游结构不断完善,我们预计公司22-24 年营收为11.50/16.08/21.60 亿元,22-24 年归母净利润为2.76/3.81/5.05 亿元,对应的EPS 为4.09/5.65/7.50 元,对应PE 为58.98/42.69/32.15倍。考虑公司的技术创新能力、稀缺性以及未来几年的成长性,首次覆盖给予“买入”投资评级。
  风险提示:行业竞争加剧风险;下游需求波动风险;产品品类集中风险;新产品研发进展不及预期风险。
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